型号 | SI4941EDY-T1-E3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET P-CH DUAL 30V 10A 8-SOIC |
SI4941EDY-T1-E3 PDF | |
代理商 | SI4941EDY-T1-E3 |
产品目录绘图 | DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
标准包装 | 1 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | 2 个 P 沟道(双) |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 21 毫欧 @ 8.3A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.8V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
功率 - 最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOICN |
包装 | 标准包装 |
其它名称 | SI4941EDY-T1-E3DKR |